單向可控硅的使用方法和介紹

1.單向可控硅等效結構

2.單向可控硅晶體管模型

3.單向可控硅平面和縱向結構

4.可控硅工作原理-導通

柵極懸空時，BG1 和BG2截止, , 沒有電流流過負載電阻RL。 。
•  柵極輸入一個正脈沖電壓時 時, ,BG2 道通， VCE(BG2) 下降， VBE(BG1) 升高。
•  正反饋過程使BG1 和BG2進入飽和道通狀態(tài)。
•  電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài)。
•  由于正反饋的作用柵極沒有觸發(fā)將保持道通狀態(tài)不
變。

6.可控硅工作原理-截止

• 陽極和陰極加上反向電壓
•BG1 和BG2 截止。
• 加大負載電阻RL 使電路電流減少BG1 和BG2 的基電流也將減少。
• 當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用，電路翻轉為截止狀態(tài)。
• 這個電流為維持電流。

8.單向可控硅I-V曲線

9.單向可控硅反向特性

  條件：控制極開路，陽極加上反向電壓時
•  分析：J2 結正偏，但J1、 、J2 結反偏。當J1 ，J3結 結的雪崩擊穿后，電流迅速增加，如特性OR 段所示，彎曲處的電壓URRM 叫反向轉折電壓，也叫反向重復峰值電壓。
•  結果：可控硅會發(fā)生永久性反向擊穿。

11.單向可控硅正向特性

條件： 控制極開路，陽極加正向電壓

• 分析： J1 、 J3 結正偏，J2 結反偏，這與普通 PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，如特性 OA 段所示，彎曲處的是 UDRM 叫：正向轉折電壓，也叫斷態(tài)重復峰值電壓。

13.單向可控硅負阻特性及導通

  條件：J2 結的雪崩擊穿
•  分析： J2 結的雪崩擊穿后 J2結發(fā)生雪崩倍增效應， J2 結變成正偏，只要電流稍增加，
電壓便迅速下降。
•  結果：出現(xiàn)所謂負阻特性
•  正向導通
•  條件：電流繼續(xù)增加
•  分析： J1 、 J2 、 J3 三個結均處于正偏，它的特性與普通的 PN 結正向特性相似， 結果：可控硅便進入正向導電狀態(tài)

15.單向可控硅觸發(fā)導通

  條件：控制極G 上加入正向電壓
•  分析： J3 正偏，形成觸發(fā)電流 IGT 。內部形成正反饋，加上 IGT 的作用，圖中的伏安特
性 OA 段左移， IGT 越大，特性左移越快。
•  結果：可控硅提前導通。

16.單向可控硅導通和關斷條件

（一）從關斷到導通 

1 、陽極電位高于是陰極電位
2 、控制極有足夠的正向電壓和電流。

兩者缺一不可

（二）維持導通

1 、陽極電位高于陰極電位
2 、陽極電流大于維持電流
兩者缺一不可

（三）從導通到關斷

1 、陽極電位低于陰極電位
2 、陽極電流小于維持電流
任一條件即可