設(shè)計(jì)可控硅線路為什么加RC吸收回路
一、可控硅兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。
我們知道，可控硅有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于可控硅的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榭煽毓杩梢钥醋魇怯扇齻€(gè)PN結(jié)組成。
在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)可控硅陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到可控硅上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。
為了限制電路電壓上升率過大，確?？煽毓璋踩\(yùn)行，常在可控硅兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞可控硅。同時(shí)，避免電容器通過可控硅(可控硅)放電電流過大，造成過電流而損壞可控硅。
由于可控硅過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。
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