可控硅電壓保護(hù)選擇?
過(guò)電壓保護(hù)的選擇原則如下,供實(shí)際應(yīng)用時(shí)參考:
1、若變流裝置本身有變壓器,只需要在變壓器二次側(cè)設(shè)置保護(hù)。
2、若直流側(cè)有開關(guān)或熔斷器,應(yīng)在直流側(cè)設(shè)置保護(hù)。
3、對(duì)于中小容量(十幾千伏安以下)的變流裝置,應(yīng)設(shè)置相應(yīng)的阻容保護(hù);對(duì)于大容量的裝置,因要求電容量太大,可用硒堆輔以保護(hù),以減少保護(hù)電容的容量,如采用壓敏電阻,則能承受更大的浪涌電流,體積和損耗都可以得到減少。
4、對(duì)于直接與大電網(wǎng)連接的大容量變流裝置(數(shù)百千伏安以上),應(yīng)考慮采用可控硅作過(guò)壓保護(hù)。
5、若直流側(cè)負(fù)載為大電感(如同步電動(dòng)機(jī)勵(lì)磁繞組),可能產(chǎn)生較大過(guò)電壓,應(yīng)考慮在直流側(cè)采用可控硅保護(hù)。